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中国腐蚀与防护学报  1996, Vol. 16 Issue (2): 157-159    
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恒电流充电曲线的一种计算机解析方法
孙虎元;魏绪钧
东北大学有色金属冶金系
A COMPUTER ANALYSIS METHOD FOR GALVANOSTATIC CHARGE CURVE
Sun Huyuan; Wei Xujun(Northeastern University )
全文: PDF(219 KB)  
摘要: 在恒电流光电曲线上选取等时间间隔数列t(i)对应的过电位为E(i).任取可能的稳态过电位E;令Y(i)=E—E(i)再今W(i)=In[Y(i+1)·Y(i—1)-Y2(i)].得数列W(i)。可以证明,W(i)与t(i)呈线性关系.根据其斜率K和截距B可求得稳态过电位E∞,再利用In[E∞-E(i)]对t(i)的线性关系,求得斜率K’和截距B’,井据此求得极化阻力Rp,界面电容Cd,及溶液电阻R1。
关键词 恒电流充电曲线法腐蚀电化学参数    
Abstract:A series of dots on galvanostatic charge curve with equal time interval were chosen to form a time array t(i) and a corresponding overpotential array E(i). By assigning a possible static overpotential E and letting y(i) = E- E(i), another array Y(i) could be obtained. By letting W(i) = ln[Y(i +1)·y(i-1)-Y2(i)], an additonal array W(i) could generated. It could be proved that W(i) was linear with t(i). Moreover, with its slope Kand intercept B, the real static overpotential E∞ could be calculated. Furthemore, owing to the linear relationship between In[E∞-E(i)] and t(i), the parameters R1,Rp and Cd could be calculated through its slope K' and B'.
Key words Galvanostatic charge curve    Computer analysis    Electrochemical parameter
收稿日期: 1996-04-25     

引用本文:

孙虎元;魏绪钧. 恒电流充电曲线的一种计算机解析方法[J]. 中国腐蚀与防护学报, 1996, 16(2): 157-159.
. A COMPUTER ANALYSIS METHOD FOR GALVANOSTATIC CHARGE CURVE. J Chin Soc Corr Pro, 1996, 16(2): 157-159.

链接本文:

https://www.jcscp.org/CN/      或      https://www.jcscp.org/CN/Y1996/V16/I2/157

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