中国腐蚀与防护学报, 2022, 42(2): 274-280 DOI: 10.11902/1005.4537.2021.041

研究报告

超细层片结构Al-4%Cu合金的点蚀行为

辛叶春, 徐伟, 赵东杨, 张波,

中国科学院金属研究所 沈阳材料科学国家研究中心 沈阳 110016

Pitting Corrosion Behavior of Ultra-fine Lamellated Al-4%Cu Alloy

XIN Yechun, XU Wei, ZHAO Dongyang, ZHANG Bo,

Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China

通讯作者: 张波,E-mail:bxz011@imr.ac.cn,研究方向为纳米金属的腐蚀

收稿日期: 2021-03-05   修回日期: 2021-03-15  

基金资助: 国家重点研发计划.  2017YFB0702103

Corresponding authors: ZHANG Bo, E-mail:bxz011@imr.ac.cn

Received: 2021-03-05   Revised: 2021-03-15  

作者简介 About authors

辛叶春,男,1996年,博士生

摘要

采用室温冷轧方法制备了具有超细层片结构的Al-4%Cu (质量分数) 合金,并利用SEM、TEM、显微硬度测试及动电位极化方法对比研究了晶界处元素偏聚及时效析出相对其点蚀行为的影响。结果表明,冷轧后Al-Cu合金平均层片间距159 nm,晶界处存在Cu的偏聚,其点蚀电位与粗晶样品相当。时效后,超细晶Al-Cu点蚀电位因晶界θ相的析出而降低。可见,Cu偏聚对Al-Cu合金的点蚀行为并无明显影响,但形成富Cu相后对点蚀行为影响显著。

关键词: 超细层片 ; 元素偏聚 ; 析出相 ; 点蚀

Abstract

The pitting corrosion behavior of ultra-fine lamellated (UFL) Al-4%Cu alloy prepared by cold rolling at room temperature has been studied by means of scanning electron microscope (SEM), transmission electron microscope (TEM), microhardness tester and potentiodynamic polarization measurement aiming to understand the effect of element segregation and precipitates at grain boundaries on pitting corrosion potential. The result shows that the average lamellar spacing of cold rolled Al-Cu alloy is 159 nm and there exists obvious segregation of Cu at boundaries. The pitting corrosion potential of the cold rolled Al-Cu is found to be similar to that of the coarse grain ones. After aging treatment, the pitting corrosion potential decreases obviously because of precipitation of second phases at grain boundaries. These results indicate that the element segregation at grain boundaries has no significant effect on the pitting corrosion behavior of Al-Cu alloy, while the precipitation of second phases rich in Cu can have an obvious effect on the pitting corrosion behavior.

Keywords: Ultra-fine lamellar ; element segregation ; precipitates ; pitting corrosion

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本文引用格式

辛叶春, 徐伟, 赵东杨, 张波. 超细层片结构Al-4%Cu合金的点蚀行为. 中国腐蚀与防护学报[J], 2022, 42(2): 274-280 DOI:10.11902/1005.4537.2021.041

XIN Yechun, XU Wei, ZHAO Dongyang, ZHANG Bo. Pitting Corrosion Behavior of Ultra-fine Lamellated Al-4%Cu Alloy. Journal of Chinese Society for Corrosion and Protection[J], 2022, 42(2): 274-280 DOI:10.11902/1005.4537.2021.041

铝合金凭借高的比强度在航空航天、车辆船舶及轨道交通等领域中广泛应用[1]。然而,铝合金强度的提高往往以牺牲耐蚀性能为代价[2]。为了提高强度,通常向Al中加入过量的合金元素形成沉淀相以达到强化的目的,但是,沉淀相的析出却导致合金表面电化学不均匀性增加,容易诱发点蚀、晶间腐蚀等局部腐蚀[3],导致耐蚀性能恶化。利用严重塑性变形方法细化晶粒则为提高铝合金强度提供了另一途径。根据Hall-Patch关系,当晶粒尺寸减小至亚微米级别 (<1000 nm) 后,合金的强度将明显提高[4]。近年来,有关该方法制备的超细晶结构及其力学性能的研究已有大量报道[5-9]。然而,相比之下,关于超细晶结构对铝合金腐蚀行为影响的研究相对较少。

严重塑性变形方法制备的超细晶结构中引入了大量的空位、位错及晶界等缺陷。这些缺陷的存在对氧化膜的形成[10-13],第二相的析出行为[14,15]以及合金元素的偏聚[16]等均会产生影响,最终影响到材料的腐蚀行为。有研究[10]表明,对于纯铝,塑性变形引入的晶格缺陷会促进合金表面钝化膜的形成,从而提高腐蚀抗力。而对于铝合金,一方面,塑性变形过程中第二相破碎,尺寸减小,有利于提高合金的点蚀抗力[17,18],另一方面,超细晶结构引入大量晶界等缺陷降低了第二相形核能垒,析出动力学加速,相比粗晶,甚至在室温下短时间放置第二相便开始大量沿晶界析出[14],这反而导致点蚀倾向增大。此外,超细晶结构由于含有大量大角度晶界[19],能量较高,在变形过程或后续退火过程中溶质元素极易向晶界发生偏聚以稳定晶界,降低体系能量[16,20]。晶界元素偏聚作为提高超细晶或纳米晶稳定性的重要策略已经在很多体系中都有发现[21-24],它对于设计和制备超细晶或纳米晶具有重要意义。然而,与析出相对合金腐蚀行为的影响类似,元素在晶界的偏聚也会导致合金表面电化学性质的不均匀性,因而也可能对合金的局部腐蚀行为产生影响。但是,目前相关的研究却少有报道。

因此,为了说明超细晶结构中晶界元素偏聚对铝合金腐蚀行为的影响,我们选择Al-Cu合金作为研究对象,采用严重塑性变形方法制备了具有超细层片结构的Al-Cu合金,对比分析了元素偏聚及时效析出相对合金点蚀行为影响的差异。这有助于合理设计超细结构铝合金以及权衡其强度与耐蚀性之间的关系。

1 实验方法

原始Al-4%Cu (质量分数) 合金由高纯Al (99.999%) 和纯Cu (99.99%) 熔炼而成,铸锭经均匀化退火后于450 ℃热挤压成棒状。棒状原料线切割为25 mm×20 mm×20 mm块后,经540 ℃固溶处理4 h,砂纸打磨至2000目即可用于后续样品制备。超细晶样品采用室温冷轧方法获得,冷轧压下量96% (由20 mm至0.8 mm)。为防止冷轧样品室温下发生自然时效及晶粒长大,轧制后立即放入液氮中保存。冷轧样品的时效处理在恒温干燥箱中进行。

用于结构表征的样品沿RD-ND方向进行取样。样品经800#、2000#、5000#和7000#砂纸打磨后进行电解抛光,抛光液为高氯酸酒精溶液 (体积比1∶9),电压15 V,室温,时间90~120 s。在FEI Verios 460扫描电镜 (SEM) 观察组织结构,加速电压15 kV,电流1.6 nA。

在FEI Talos F200X透射电镜 (TEM) 观察点蚀形貌及能谱元素分布图,加速电压200 kV。TEM样品制备过程如下:在冷轧板材上沿RD-ND方向线切割厚度0.5 mm样品,砂纸磨至50 μm后双喷减薄 (Tenupol-5),双喷液与电抛液相同,温度-25 ℃,电压25 V。最后于精密离子减薄仪 (GATAN695.C) 上完成最终减薄,为避免温度影响,减薄过程加入了液氮。

显微硬度测试在全自动显微硬度计 (Qness Q10 A+) 上进行,载荷10 g,加载时间10 s,每个样品至少采集了5个点。

动电位极化曲线与静态浸泡腐蚀实验均在0.6 mol/L NaCl (pH=6) 溶液中进行。极化曲线测试样品用导线连接后进行冷镶,凝固后用SiC砂纸加酒精打磨至2000#,超声清洗30 s取出并冷风吹干备用。电化学测试在Gamry Reference 600电化学工作站上进行,测试前于溶液浸泡10 min。动电位极化测试采用三电极系统,Pt片为对电极,饱和甘汞 (SCE) 电极为参比电极,扫描速率1 mV/s,每个状态样品极化曲线重复三次,统计平均值作为最终点蚀电位值。

静态浸泡腐蚀实验样品用酒精经7000#砂纸打磨,酒精超声1 min后取出,冷风吹干。浸泡溶液每天更换,浸泡72 h后取出样品,经去离子水清洗后,用酒精清洗并冷风吹干备用。

2 结果与讨论

2.1 超细层片界面处的元素偏聚

变形态Al-4%Cu合金的超细层片 (UFL) 结构如图1a所示。层片界面大致与轧向 (RD) 平行,层片间距为30~500 nm不等,统计约400个晶粒后得到平均层片间距为159 nm (图1b),为典型超细晶结构。利用扫描透射模式 (STEM) 下的能谱分析,随机选择3条晶界进行元素分析,典型结果如图1c和d所示。可见,在层片界面处存在Cu的富集与Al的贫化。图1e为图1d中白色箭头对应截线处元素的线分布图。其中,离层片界面较远的合金基体Cu含量为3.6% (质量分数),与合金的名义Cu含量相近,而层片界面处Cu含量为10.3%,是基体Cu含量的2.9倍。由于Al-Cu系铝合金中典型析出相θ-Al2Cu的Cu含量为54%,因此富集的Cu原子在层片界面依然是以固溶态形式存在。此外,从图1e中还可以看出,层片界面的Cu偏聚宽度约2.5 nm,考虑到实际能谱扫描过程中图像漂移的存在,真实的Cu原子偏聚区宽度应略小于2.5 nm。在层片界面附近并没有观察到明显的因Cu的偏聚而产生的贫Cu区。从热力学角度看,晶界Cu偏聚是自发过程,会降低晶界能,并降低体系能量;从动力学角度看,UFL Al-4Cu合金晶界处的元素偏聚与变形过程中位错的运动及位错与Cu原子的交互作用有关[17]。此外冷轧过程中的温升也会加速Cu向晶界处的偏聚。

图1

图1   冷轧后超细层片结构Al-4%Cu合金的结构表征

Fig.1   Characterizations of UFL structures for the Al-4%Cu alloy: (a) TEM micrograph, (b) related statistical size distribution; (c, d) elemental mappings of red rectangular region marked in Fig.1a, (e) EDS line-scan of Al and Cu along the white line in Fig.1d, there is obvious Cu segre-gation at the lamellar boundary


2.2 超细层片结构的时效析出行为

超细晶或一般纳米晶由于晶界体积分数大,晶界能高,通常热稳定性较差[25]。为了选择合适的时效温度或敏化温度以确保时效过程中UFL结构本身不会被破坏,研究了时效温度对UFL结构稳定性的影响。图2为冷轧后UFL Al-4Cu样品不同温度退火1 h后的硬度变化。冷轧态硬度可达1.45 GPa,退火温度超过120 ℃后硬度开始显著降低。根据Hall-Patch关系[26,27],代入统计的晶粒尺寸 (159 nm) 及相关数据[16]计算得到该晶粒尺寸对应Al-Cu合金的强度为460 MPa (对应硬度~1.38 GPa),该值比实验值低。不过,考虑到冷轧样品晶内位错对强度的提升作用,可认为其与实验值吻合较好。由图3可见,经150 ℃退火后,UFL结构被破坏,发生明显等轴化 (图3a),且有大量第二相析出 (图3b)。黑色箭头及白色箭头所指分别为在晶界和晶内析出的第二相,二者类型、尺寸和形状存在差异。晶界处析出的第二相为平衡相θ-Al2Cu,与基体保持非共格关系,尺寸较大且呈不连续链状分布;而晶内析出的第二相主要为亚稳相θ',与基体保持半共格关系,尺寸较小,呈圆片状分布。由图3b可以看出,晶界θ相的体积分数明显大于晶内θ'相,这是由于UFL结构中的高能晶界相比于晶内,析出相的形核能垒更低,因而能为第二相提供大量的非均质形核点[7]。此外,时效前Cu在晶界的偏聚也对后续第二相沿晶界析出起到促进作用[28]

图2

图2   显微硬度随退火温度的变化

Fig.2   Variation of Vickers hardness with annealing temperature


图3

图3   超细层片Al-4Cu合金150 ℃退火后结构表征

Fig.3   TEM micrograph (a) and HAADF-STEM image (b) of cold rolled Al-4Cu annealed at 150 ℃ for 1 h (black arrows indicate θ-Al2Cu while white arrows indicate metastable phase θ')


考虑到UFL结构的稳定性,选择80 ℃作为时效及敏化温度,由此得到时效过程的硬度及组织变化如图4所示。随时效时间增加,UFL Al-4Cu的硬度整体呈缓慢下降趋势,并无明显时效硬化现象,只是12 h时硬度略有波动 (图4a),并且随时间增加,超细层片界面处析出的θ相逐渐增多,且呈不连续或连续链状 (图4b~d),短轴尺寸大多在几十纳米左右。由于时效过程UFL结构并未破坏,硬度的下降主要是位错回复以及晶界θ相不断析出 (图4b~d) 导致基体固溶强化效果降低所致。尽管在晶内也发现有析出的第二相 (图3b),但其体积分数相对较小,强化效果有限。大部分的第二相分布于晶界处,对于强度的提高却并无明显作用。这是由于晶界第二相为非共格平衡相,与基体之间无共格畸变的应力场,此外,晶界第二相无法对位错在晶粒内的运动起到阻碍作用。总之,虽然晶内半共格θ'相的析出能增加强度,但由于时效过程位错回复和晶界θ相析出会降低强度,因此UFL Al-4Cu的时效硬度曲线并未呈现典型的时效硬化峰。

图4

图4   80 ℃时效过程显微硬度变化及不同时效时间后的组织

Fig.4   Variation of Vickers hardness of clod UFL Al-4%Cu at 80 ℃ with aging time (a), SEM-ECC images of UFL Al-4%Cu annealed for 0 h (b), 12 h (c) and 72 h (d)


2.3 元素偏聚与析出相对点蚀行为的影响

如前所述,超细晶Al-Cu合金由于晶界体积分数增加,导致变形过程Cu向晶界偏聚并促进时效过程中θ相析出。由于成分的不均匀性,二者均可能会影响腐蚀行为。为了表征元素偏聚及晶界析出相对UFL Al-4%Cu合金腐蚀行为的影响,选择固溶态粗晶、变形态UFL、短时间敏化态UFL (80 ℃-12 h) 在含Cl-溶液中进行动电位阳极极化和浸泡腐蚀实验,结果如图5所示。由阳极极化曲线 (图5a) 及统计点蚀电位平均值可知,变形态UFL样品的点蚀电位 (-591±6 mV vs SCE) 与CG样品 (-597±3 mV vs SCE) 相当。对比图5b和c,72 h浸泡实验后,CG样品的点蚀坑密度与变形态UFL样品一致,只是CG样品点蚀坑尺寸略大于UFL样品,这可能是由于CG样品少部分未完全固溶的第二相经塑性变形后被打碎细化所致[17]。相比于CG及变形态,敏化态UFL样品的点蚀电位 (-633±10 mV vs SCE) 降低约30~40 mV,且72 h浸泡实验表明其点蚀坑密度也明显高于CG和变形态合金 (图5d)。敏化态样品的点蚀坑沿层片方向呈不连续的链状分布,说明点蚀坑的形成与晶界析出相有关。由图6可以看出,蚀坑中心富Cu贫Al,表明点蚀坑萌生于富Cu的析出相。蚀坑周围存在富集O,说明蚀坑附近存在腐蚀产物,而部分区域由于腐蚀产物的剥落而出现贫氧区,这在图5d中也可以观察到,其中蚀坑周围灰色的板块状区域就是由于腐蚀产物剥落而暴露出的新鲜金属表面,而衬度较暗的区域表面还留有部分腐蚀产物。由于纯的Al2Cu块体在溶液的腐蚀电位[3]比Al基体[3]要高,为阴极相,所以在溶液中θ相附近的基体作为阳极相而发生阳极溶解,形成以θ相为中心的点蚀坑。以上结果说明,晶界Cu偏聚对Al-Cu合金的点蚀行为并无显著影响,但形成θ相后就会对点蚀产生明显的影响。在UFL Al-4%Cu合金中,由于Cu的加入会使基体腐蚀电位正移,故Cu偏聚区域与周围基体相比为阴极,但是当Cu含量高于3.8%时,Cu所引起的腐蚀电位正移量很小 (<10 mV)[1]。因此,晶界Cu偏聚区为很弱的阴极区,其对合金整体腐蚀行为影响较弱。Ralston等[29]和Wang等[30]研究表明,腐蚀初期阶段,阳极S相对Al-Cu-Mg合金点蚀的影响与它的尺寸有关,当尺寸小于8~10 nm时,S相会因周围基体表面Al2O3膜的体积膨胀而被覆盖,从而被保护而免于发生阳极溶解。虽然Cu偏聚区为阴极,但因其横向尺寸很小,其造成的表面氧化膜的不连续也可能由于周围Al2O3膜的体积膨胀而被弥补,从而减弱了其作为阴极相对局部腐蚀的促进作用。

图5

图5   不同处理状态样品的极化曲线及72 h浸泡实验后的腐蚀形貌

Fig.5   Potentiodynamic polarization curves of CG, as deformed and sensitized Al-4%Cu samples in 0.6 mol/L NaCl solution (pH7) (a), corrosion morphology of CG (b), as deformed (c) and sensitied Al-4Cu sample (d) after immersed for 72 h (b~d)


图6

图6   敏化后的超细晶样品经72 h浸泡实验后的点蚀形貌及元素分布图

Fig.6   Pitting corrosion morphology of sensitized UFL Al-4%Cu after immersed in NaCl solution (a), Al (b), Cu (c) and O (d) element mappings in the rectangular region marked in Fig.6a


根据Frankel等[31]的TEM研究,Al-Cu-Li合金相界面处Li的偏聚有利于在相界面处形成钝化膜而减弱电化学腐蚀在界面附近发生。因此,关于超细晶结构晶界处元素偏聚对合金腐蚀行为的微观影响还有待开展更深入的研究。

3 结论

(1) 超细结构Al-Cu合金层片界面存在明显的Cu偏聚,然而晶界Cu偏聚对合金点蚀行为并无明显影响,冷轧态Al-Cu的点蚀电位与固溶态粗晶样品没有差别。这可能与元素偏聚区同基体间电化学性质差异较小以及偏聚区尺寸低于导致氧化膜不连续的临界尺寸有关。

(2) 超细结构本身引入大量的晶界,促进时效过程θ相沿晶界呈链状析出,一方面使合金在时效过程中无明显硬化现象;另一方面导致腐蚀后点蚀坑数量增多,并降低合金的抗点蚀性能。

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