铜质文物在CO2 环境中的腐蚀行为及缓蚀剂研究
1.
2.
Corrosion Behavior and Corrosion Inhibitor for Copper Artifacts in CO2 Environment
1.
2.
通讯作者: 王胜利,E-mail:tckitten@163.com,研究方向为应用电化学理论与技术
收稿日期: 2022-09-26 修回日期: 2022-10-23
基金资助: |
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Corresponding authors: WANG Shengli, E-mail:tckitten@163.com
Received: 2022-09-26 Revised: 2022-10-23
Fund supported: |
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作者简介 About authors
周浩,男,1970年生,副研究馆员
采用石英晶体微天平 (QCM) 反应性监测技术,结合Cu表面腐蚀产物分析,揭示了铜质文物在CO2环境中的初期腐蚀行为。进而针对性地引入苯骈三氮唑 (BTA) 和L-半胱氨酸 (CYS) 为主的复配气相缓蚀剂 (VCI) 以提高对铜质文物的抗腐蚀能力,同时结合电化学阻抗谱 (EIS) 技术和密度泛函理论 (DFT) 研究了复配VCI对铜质文物的缓蚀机制。结果表明,CO2浓度的增大以及相对湿度的升高均会加速铜质文物的腐蚀,在CO2环境暴露后的初期,腐蚀产物主要为Cu2O、CuO和CuCO3·Cu(OH)2。BTA与CYS对铜质文物腐蚀有显著的协同缓蚀性能,当BTA与CYS复配比为4∶1时,缓蚀率最高为86.2%。由于CYS与BTA相比,其较小的尺寸而产生较少的空间位阻,可以充分填补BTA膜的空隙,使得复合缓蚀剂膜更加致密。
关键词:
Carbon dioxide (CO2) is a gaseous pollutant found in museums that can seriously damage the original appearance of copper artifacts through local acidification and corrosion. Aiming to simulate the CO2 induced corrosion of the real copper artifacts, a quartz-crystal microbalance (QCM) in conjunction with corrosion products analysis techniques is used to reveal the initial corrosion behavior and regularities of Cu in the CO2 containing environment. Furthermore, vapor-phase corrosion inhibitors (VCI) compounded with benzotriazole (BTA) and L-cysteine (CYS) were specifically formulated to improve the anti-corrosion ability of Cu. In this work, we investigated the anticorrosive mechanism of VCI on Cu by means of electrochemical impedance spectroscopy (EIS) technology and density functional theory (DFT). The results demonstrated that with the increase of CO2 concentration and relative humidity content of the environment, the Cu corrosion was accelerated, and the initial corrosion products consist mainly of Cu2O, CuO and CuCO3∙Cu(OH)2 after exposure to CO2 environment. BTA and CYS have significant synergistic anti-corrosion performance for Cu. When the compound radio of BTA to CYS is 4∶1, the highest corrosion inhibition efficiency is 86.2%. Which may be ascribed to that the CYS molecular with relatively smaller size can fully fill the defects of the BTA film, thus causing a greater densification of the anti-corrosion film.
Keywords:
本文引用格式
周浩, 尤世界, 王胜利.
ZHOU Hao, YOU Shijie, WANG Shengli.
现有研究表明,所处环境的相对湿度 (RH) 对铜器的腐蚀有着重要影响。当铜器暴露在空气中时,铜器表面会立即被一层氧化物或氢氧化物薄膜覆盖,当环境中RH含量较高时,水分子会吸附在羟基化的铜器表面形成水膜,为污染性气体的吸附提供条件,从而加重铜器的腐蚀[3]。此外,空气中的酸性气体 (CO2、氮氧化物和硫化物等) 会形成溶剂化物质或与水膜中的其它物质相互作用,在适宜的条件下发生不可逆的电化学腐蚀[4~6]。其中,CO2是一种具有潜在破坏作用大的气态污染物,可以与很多有机物或无机物发生反应。而博物馆作为文物展出场所,人流量大,易导致水汽和CO2气体在密闭空间内累积,浓度严重超标 (>1.8 mg·L-1),严重影响馆藏铜质文物表面形貌的稳定性。然而,目前关于模拟博物馆展柜内CO2及气候因素对铜质文物的初期大气腐蚀机理研究相对较少,缺少对博物馆内铜质文物保护的理论和技术支持。
合理使用气相缓蚀剂 (VCI) 是控制金属及其合金腐蚀的有效方法之一,与常规腐蚀控制方法相比,VCI可以通过气相运输到达金属表面,不会干扰随后使用或处理受保护的表面[7]。苯骈三氮唑 (BTA) 是一种有效的Cu缓蚀剂,通过在表面形成不溶性的Cu-BTA聚合物膜,将Cu与腐蚀环境物理隔开,抑制腐蚀电化学反应的发生[8,9]。然而,由于BTA分子的大空间位阻特性,单独使用时难以获得良好的腐蚀抑制效果[10]。因此,亟需开发复合型气相缓蚀剂以提高BTA对铜器的缓蚀效率。研究报道表明,L-半胱氨酸 (CYS) 可以通过协同作用改变缓蚀膜致密度提高金属的耐腐蚀性[11,12],但有关BTA与CYS对抑制铜器在CO2环境中腐蚀的协同作用研究鲜有报道。
本研究通过石英晶体微天平 (QCM) 反应性监测技术获得铜器在不同CO2浓度和RH环境中的大气腐蚀动力学曲线,计算腐蚀速率,揭示铜质文物在CO2环境中的初期腐蚀行为及规律;并将BTA与CYS复配成复合气相缓蚀剂,应用于铜质文物大气腐蚀的防护中。同时结合电化学阻抗谱 (EIS) 技术、X射线光电子能谱分析 (XPS) 和密度泛函理论 (DFT) 研究了BTA与CYS对铜质文物大气腐蚀的协同缓蚀机理。
1 实验方法
实验材料为镀铜石英晶振片,基频为9.0 MHz,电极直径为0.36 cm (图1)。每次使用前清洁晶振片,并记录基频。
图1
采用QCM922型石英晶体微天平监测镀铜石英晶振片在CO2环境中的表面质量变化,如Sauerbrey方程 (1) 所述,谐振频率与工作电极的质量变化成正比[13]。
其中,f0,石英晶振片的基频 (MHz);Δf,石英晶振片的频率改变量,又称频移值 (Hz);Δm,电极质量改变量 (g);A,工作电极的面积 (cm2)。
采用密闭的有机玻璃反应器 (体积约8 L) 作为反应装置,反应系统的温度采用水浴锅控制,将镀铜石英晶振片暴露于反应器中,通过线缆与QCM连接,同时通过电脑软件采集实验过程中的数据,并在反应器内放置多功能气体检测仪,实时记录密闭空间内的温度、RH和CO2浓度。
基于Henry方程的要求和气态产物在饱和蒸汽分压1.013×102 kPa下的溶解度,我们利用相关物质在液相或气相中平衡的方法来控制密闭反应器中腐蚀气体的平衡浓度。通过反应 (2) 获得液相中物质的设计浓度:
其中,
由于反应 (2) 中存在稀释溶液,会产生RH,通过将甘油混合物放入反应器中,将RH调节至所需值[14]。将1.0 g气相缓蚀剂或复合气相缓蚀剂置于密闭反应器底部,将处理好的镀铜石英晶振片悬挂在反应器内部,在30 ℃恒温封闭的条件下对镀铜石英晶振片进行预膜处理,处理时间为24 h。
电化学实验在CHI760E型电化学工作站上完成。采用三电极体系,工作电极为镀铜石英晶振片,工作面积为0.102 cm2,参比电极为217型饱和甘汞电极 (SCE),辅助电极为铂片电极,电解质为0.1 mol·L-1 Na2CO3溶液,所有实验均在室温下进行。测试前,为确保测量体系的开路电位 (OCP) 稳定,将电极置于电解质中浸泡,测量OCP,观察OCP的变化情况,待OCP稳定后可进行下一步测试。EIS测试在开路下进行,采用正弦交流信号,振幅为5 mV,频率范围为105~10-2 Hz,得到的数据用Zview软件进行拟合解析。利用Axis Ultra DLD型XPS对镀铜石英晶振片表面的腐蚀产物进行定性分析。
DFT是预测化学品反应性和稳定性的最重要理论之一,基于DFT的B3LYP方法已广泛应用于缓蚀剂构效关系研究领域。在本研究中使用Material studio软件包在B3LYP水平来优化几何结构,并计算最高占据分子轨道 (EHOMO) 和最低未占据分子轨道的能量 (ELUMO) 和其他量子化学参数。
腐蚀速率按下式进行计算[15]:
其中,vcorr,腐蚀速率 (ng·cm-2·h-1);ΔW,暴露在腐蚀环境中镀铜石英晶振片的质量增量 (ng);A,工作电极的面积 (cm2);t,实验所用时间 (h)。
其中,ηBTA和ηCYS分别表示BTA与CYS单独使用时的缓蚀率,ηBTA+CYS表示BTA与CYS混合使用时的缓蚀率。
2 结果与讨论
2.1 CO2 气体环境下Cu的腐蚀动力学
图2显示了温度为25 ℃,RH为90%,CO2气体浓度为3.6 mg/L时,镀铜石英晶振片的频率随时间的变化。由图2a可以看出,频率变化曲线随暴露时间呈现指数放缓的衰减趋势,24 h内下降了261.2 Hz,对应的质量增益为134.5 ng,这说明Cu与所处环境中的气体发生反应,生成的腐蚀产物导致电极质量发生变化。此外,水吸附可能引起Cu在空气中的总质量增益。然而,Rodahl等[18]研究表明影响QCM频率和耗散响应的液体水膜仅为分子厚度 (<1 nm),因此QCM感知的水吸附量与腐蚀产物相比非常小。在24 h的腐蚀过程中,腐蚀速率呈现先快后慢,趋于平缓的趋势 (图2b)。在初始的两个小时,腐蚀速率从106.8 ng·cm-2·h-1增加到160.44 ng·cm-2·h-1,这是因为在毛细管作用和吸附作用下,空气中的水分子吸附、凝聚到Cu表面,形成连续的电解液膜,Cu溶解在吸附水层中生成Cu(I),如
图2
图2
镀铜石英晶振片的频率,质量和腐蚀速率随时间变化曲线
Fig.2
Frequency and mass (a), corrosion rate (b) vs time curves of copper-coated quartz crystal (T=25 °C, RH=90%, C
图3显示了环境因素 (CO2浓度和RH) 对腐蚀过程产生不同程度的影响。从图3a和b可看出,CO2浓度从0.72 mg·L-1增加到3.6 mg·L-1时,24 h内镀铜石英晶振片的频率下降趋势依次增大,下降值分别为55.9、87.5和187.4 Hz。同时还可以看出,CO2的浓度越大,镀铜石英晶振片的频率下降速率越快,初期腐蚀速率越高,腐蚀的程度随着CO2浓度的增加而加重。从图3c和d可看出RH对镀铜石英晶振片腐蚀作用显著。当CO2浓度为1.8 mg·L-1时,密闭反应器内相对湿度从30%增加到75%,晶振片的频率变化值从20.7 Hz增加到81.4 Hz,生成的腐蚀产物增多,腐蚀加重,说明不同RH环境下的Cu腐蚀过程有很大差异。在RH较低条件下,腐蚀初期出现明显的慢速阶段,且随着RH的增加,慢速阶段缩短。这归因于较低RH下,Cu表面的电解液层形成较慢,不利于CO2溶解形成微电化学反应池,腐蚀过程较慢[20]。此外,在腐蚀后期还会出现频率增加的现象,这是由于晶振片表面水分蒸发,水膜层变薄,使得表面电化学腐蚀不能有效进行,从而使得晶振片表面质量保持不变或降低。而随着RH增加 (RH>50%),Cu电极表面会快速形成较厚的电解液膜,同时增厚的电解液膜有利于电极表面离子传输,加快碳酸的形成,如
图3
图3
不同条件下镀铜石英晶振片的频率、腐蚀速率随时间变化曲线
Fig.3
Frequency (a, c) and corrosion rate (b, d) vs time curves of copper-coated quartz crystals under different CO2 concentrations (a, b) and RH (c, d)
为了进一步揭示铜质文物在CO2环境中的初期腐蚀行为及规律,利用XPS技术对不同暴露环境中的镀铜石英晶振片进行定性分析,如图4所示。图4a为镀铜石英晶振片的总XPS谱,不同暴露条件下的晶振片表面主要元素均为Cu、O和C,在CO2浓度为3.6 mg·L-1,RH为90%条件下的总谱中,C、O相对强度最高,说明此条件下有利于腐蚀产物生成。图4b为经高斯拟合分峰处理的Cu的XPS谱,可以看出,在干燥 (RH=0%) 环境下,结合能为932.6 eV,对应于Cu(I),此时表面Cu主要以Cu2O形式存在[21];在潮湿 (RH=90%) 无CO2条件下,Cu 2p1/2峰与Cu 2p2/3峰之间出现微弱的Cu(II)特征卫星峰,且主峰结合能向高结合能方向移动 (933.1 eV),说明Cu同时以Cu(I)和Cu(II)形式存在,腐蚀产物以Cu2O和CuO为主[22];在潮湿且存在CO2条件下,结合能为934.8 eV,同时Cu 2p1/2峰与Cu 2p2/3峰之间的Cu(II)特征卫星峰增强,对应与Cu(II)结合生成的物质,此时腐蚀产物以CuCO3·Cu(OH)2和CuCO3为主[23]。
图4
图4
不同暴露环境下的XPS谱
Fig.4
XPS spectra of copper-coated quartz crystals under different exposure conditions: (a) XPS survey, (b) Cu 2p
根据以上实验结果,对铜质文物在CO2环境中的初期腐蚀机理进行了初步推断。Cu在CO2中的腐蚀行为依赖于环境RH,在干燥环境下,腐蚀过程难以进行,产物以致密的Cu2O为主;腐蚀过程受扩散限制,电解液膜的快速形成使得腐蚀在初始阶段获得较快的速率。但随着腐蚀过程进行,腐蚀产物 (CuCO3·Cu(OH)2和CuCO3) 覆盖在电极表面形成氧化膜,氧化膜内部生长应力增大[24],导致氧化膜的破裂和生长不断重复,最后发展成一个稳定的腐蚀过程。
2.2 VCI对Cu在CO2 气氛中的缓蚀性能研究
为防止CO2气体对铜质文物的破坏,应开发适宜的气相缓蚀剂以保护铜质文物,气相缓蚀剂的缓蚀效果主要与自身分子特性有关,根据文献与作者前期研究成果[25, 26],选择BTA和CYS进行复配,以达到保护铜质文物的目的。将镀铜石英晶振片置于含有1 g不同复配比缓蚀剂的密闭反应器进行预膜,利用EIS探究BTA-CYS复配VCI的缓蚀性能,结果如图5所示。从图5a中可以看出,在空白溶液中,阻抗谱由一个高频区的半圆和一条低频区的直线组成。一般认为,高频区的半圆是由电荷转移反应和双电层电容引起的,而低频直线是由Warburg阻抗引起的[26]。腐蚀介质扩散到Cu电极表面会引起Warburg阻抗,随着缓蚀剂的加入,Warburg阻抗消失,电阻弧半径显著增加。这一现象表明,这些有机物分子在Cu表面形成保护膜,抑制腐蚀介质向Cu电极表面的扩散或腐蚀产物向本体溶液的扩散。此外,阻抗谱曲线呈现不完美的半圆,这种现象通常归因于缓蚀剂吸附引起的电极表面粗糙和不均匀[27]。
图5
图5
不同BTA-CYS复配比处理后Cu的Nyquist图和相应的等效电路
Fig.5
Nyquist plot of Cu with different proportion of BTA-CYS (a) and equivalent circuit without (b) and with (c) VCI
其中,Rt和Rt0分别代表有、无缓蚀剂时Cu的总阻抗(Ω·cm2)。
表1 不同BTA-CYS复配比对Cu在CO2中电化学阻抗拟合参数
Table 1
Inhibitor | Rs Ω·cm2 | Rct Ω·cm2 | Cdl μF·cm-2 | Rfilm Ω·cm2 | Cfilm μF·cm-2 | Zw Ω·cm2 | Rt Ω·cm2 | η | S |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Blank | 3.82 | 74.8 | 15.96 | - | - | 0.0004 | 74.8 | - | - |
BTA | 3.67 | 152.1 | 6.09 | 18.1 | 1.53 | - | 170.2 | 56.1% | - |
BTA∶CYS (4∶1) | 3.41 | 482.6 | 1.21 | 59.5 | 0.19 | - | 542.1 | 86.2% | 1.9 |
BTA∶CYS (3∶2) | 3.21 | 354.9 | 2.10 | 33.6 | 0.28 | - | 388.5 | 80.7% | 1.4 |
BTA∶CYS (1∶1) | 2.87 | 208 | 3.41 | 25.6 | 0.75 | - | 233.6 | 67.9% | 0.8 |
BTA∶CYS (1∶4) | 3.67 | 127.4 | 6.41 | 14.4 | 1.49 | - | 141.8 | 47.3% | 0.5 |
CYS | 3.69 | 109.1 | 7.80 | 13.3 | 2.66 | - | 122.4 | 38.9% | - |
从表1可以看出,加入缓蚀剂后电极的Rct均明显增大,说明缓蚀剂分子吸附在Cu表面形成了缓蚀膜,抑制了电极表面的电荷转移。这归因于缓蚀剂分子取代了Cu表面的水分子,由于有机分子的介电常数比水分子小,但体积比水分子大,导致双电层厚度增加[29],进一步表明缓蚀剂在Cu表面形成了保护膜。同时可以看出,不同配比缓蚀剂的性能有很大差异。低CYS占比 (BTA∶CYS=4∶1和3∶2) 的复合缓蚀剂性能较好 (η>80%),处理过的镀铜石英晶振片在腐蚀介质中有较大的Rt值 (542.1和388.5 Ω·cm2)和较小的Cdl值(1.21和2.10 μF·cm-2),且协同系数S均大于1(1.9和1.4),表明BTA与CYS在抑制Cu被CO2腐蚀方面存在显著的协同作用。然而,随着复配气相缓蚀剂中CYS占比增加,缓蚀效率降低至47.3%,表现出明显的竞争行为。
2.3 BTA与CYS协同缓蚀机理
图6
图6
BTA与CYS的优化几何结构、HOMO和LUMO轨道能量分布图
Fig.6
Optimized geometries (a, d) and distributions of HOMO (b, e), LUMO (c, f) orbitals of BTA (a-c) and CYS (d-f)
表2 基于DFT计算得到的BTA和CYS的量子化学和分子动力学参数
Table 2
Compound | ELUMO / eV | EHOMO / eV | ΔE / eV |
---|---|---|---|
BTA | -0.045 | -0.243 | 0.198 |
CYS | -0.013 | -0.241 | 0.228 |
根据前沿分子轨道理论[30],HOMO和LUMO轨道分别决定了分子接受电子和失去电子的能力。HOMO轨道与分子的电子供给能力密切相关,EHOMO的能量值越高,分子越容易与金属表面形成配位键,提高缓蚀效率;与之相反,LUMO轨道涉及分子的电子接受能力,ELUMO轨道的能量值越低,分子越容易通过反键轨道与金属表面形成反馈键吸附在金属表面。从表2可以看出,BTA的ELUMO值为-0.045 eV,其EHOMO值为-0.243 eV,而CYS的ELUMO值为-0.013 eV,EHOMO值为-0.241 eV。此外,ΔEBTA<ΔECYS,说明BTA分子更容易吸附在金属表面[31],与实验结果相一致。这说明BTA分子最初可以吸附在金属表面上,随后在包含BTA和CYS的环境中吸附CYS分子。
基于上述结果,BTA-CYS的协同缓蚀机理如图7所示。在潮湿空气中,Cu表面会形成一层电解液膜,电解液膜中的CO
图7
图7
BTA-CYS对Cu的缓蚀机制
Fig.7
Corrosion inhibition mechanism of BTA-CYS on copper: (a) low CYS concentration, (b) high CYS concentration
3 结论
CO2对铜质文物的腐蚀依赖于环境RH,在潮湿环境中 (RH>50%),CO2浓度的增大会加速铜器的腐蚀,腐蚀产物以CuCO3·Cu(OH)2和CuCO3为主。电化学测量结合量子化学计算分析结果表明,BTA与CYS的最佳复配比为4∶1,低浓度CYS会在铜质文物表面填补未被BTA膜覆盖的活性位点,使得缓蚀膜更致密,从而更好地保护铜器。因此,BTA与CYS复合气相缓蚀剂可以作为一种有效的铜质文物保护方法,且具有良好的应用前景。
参考文献
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